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参数设置SMT中级
内层线路蚀刻工艺参数设置
内层干膜线路蚀刻工艺标准参数表，涵盖酸性蚀刻(CuCl₂/HCl)和碱性蚀刻(NH₃/NH₄Cl)两种体系的参数设定及常见问题处理
王建国2026/7/272345 次查看
资料分类
参数设置
工艺类型
SMT
难度等级
中级
详细内容
酸性蚀刻体系(CuCl₂/HCl)
| 参数 | 范围 | 最佳值 |
|---|---|---|
| Cu²⁺浓度 | 120-160g/L | 140g/L |
| HCl浓度 | 1.5-2.5N | 2.0N |
| ORP值 | 450-550mV | 500mV |
| 温度 | 45-55℃ | 50℃ |
| 喷淋压力 | 1.5-2.5kg/cm² | 2.0kg/cm² |
| 传送速度 | 2.0-4.0m/min | 根据铜厚调整 |
侧蚀因子控制
侧蚀因子Etch Factor = 蚀刻深度/侧蚀量，目标≥3.0。高密度板(线宽≤0.1mm)要求EF≥5.0。
工艺参数
Cu²⁺:120-160g/L;HCl:1.5-2.5N;ORP:450-550mV;温度:45-55℃;喷淋:1.5-2.5kg/cm²
质量标准
IPC-6012;线宽公差±10%;侧蚀因子≥3.0;残铜率<0.1%
设备要求
水平蚀刻线(KLA/Schmid);ORP在线监测;铜离子分析仪;AOI检测设备
